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鄭州晶品轉(zhuǎn)載:【技術(shù)】金剛石可以改善LED的設(shè)計
據(jù)外媒報道,來自莫斯科物理技術(shù)學院(MIPT)的研究人員發(fā)現(xiàn),超級注射(此前認為只有在半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中可能產(chǎn)生的效應(yīng))也可能發(fā)生在同質(zhì)結(jié)構(gòu)中(由單一半導體材料組成的結(jié)構(gòu))。他們指出,大多數(shù)已知的半導體可用于構(gòu)建能夠進行超級注射的同質(zhì)結(jié)構(gòu),這一發(fā)現(xiàn)可為光源開發(fā)和生產(chǎn)提供全新方法。

研究人員表示,金剛石和許多新興寬帶隙半導體材料都具有出色的光學和磁性性能。然而,這些材料不能像硅或砷化鎵那樣進行有效地摻雜,進而限制了它們的實際應(yīng)用。

MIPT團隊預(yù)測了金剛石p-i-n二極管中的超級注射效應(yīng),與n類注入層的摻雜相比,他們的發(fā)現(xiàn)這種方法能允許向二極管的i區(qū)注入更多數(shù)量級的電子。該團隊認為,超注射在金剛石二極管中產(chǎn)生的電子濃度可能比先前認為的電子濃度高10,000倍。因此,研究人員表示,金剛石可能作為紫外LED的基礎(chǔ),比當前理論計算預(yù)測的要亮幾千倍。

研究人員Igor Khramtsov表示:“令人驚訝的是,相比大多數(shù)大眾市場的半導體LED和基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)的激光器,金剛石中的超注射效果要強50到100倍。”

研究人員Dmitry Fedyanin指出:“針對硅和鍺的超注射需要低溫,可能會對其效用產(chǎn)生影響。但在金剛石或氮化鎵中,即使是在室溫下也可進行強烈的超注射。”

他們指出,超級注射可以在各種半導體材料中進行,包括傳統(tǒng)的寬帶隙半導體及新型2D材料等。這樣一來,可為高效藍光、紫光、紫外和白光LED以及光學無線通信(Li-Fi)光源,新型激光器,量子互聯(lián)網(wǎng)發(fā)射器和早期疾病診斷的光學設(shè)備等的設(shè)計開辟全新途徑。

他們的研究成果發(fā)表在半導體科學期刊《Semiconductor Science and Technology》上。
 
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